美光预计 2028 年推出计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM

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据 IT 之家 10 月 22 日消息，美光预计在 2028 年推出两种新型 3DS 内存：vHBM 和 vEIM。vHBM 是 3D 集成版本的 HBM，通过垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，旨在缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗，且能共存于标准 2.5D HBM。vEIM 则设计用于端侧 AI 推理场景，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 的能效。为实现这两种内存，美光计划应用无凸块的混合键合技术，并导入集成散热解决方案。