卡尔蔡司与ASML发布Hyper-NA EUV论文
发生了什么
据Semiconductor Engineering报道，卡尔蔡司SMT和ASML的研究人员于2026年10月发表技术论文“Hyper-NA: a system with a numerical aperture of at least 0.75”。论文探讨了数值孔径至少为0.75的Hyper-NA EUV光刻技术，作为当前0.55-NA High-NA系统的延伸路径，涵盖光学架构、分辨率潜力及现有EUV生态系统的扩展需求。
- 数值孔径
- >= 0.75
报道与来源
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- Semiconductor Engineering来源报道
Hyper-NA EUV: The Next Extension Beyond High NA Lithography (Carl Zeiss, ASML)
来源关系与证据边界
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